electronica

A temperaturas altas, un semiconductor compensado con una concentración de impurezas aceptoras mayor que la concentración de impurezas donadoras no se comporta como un semiconductor intrínseco. Verdadero. Falso.

El silicio es un semiconductor. Verdadero. Falso.

En un semiconductor compensado tipo p, la concentración de impurezas donadoras no es mayor que la concentración de impurezas aceptoras. Verdadero. Falso.

En los semiconductores con impurezas donadoras se crea un nivel energético en la banda prohibida, más lejos de la banda de valencia que de la banda de conducción. Verdadero. Falso.

Los materiales conductores poseen una banda de conducción que se solapa con la banda de valencia, solo a temperaturas altas. Verdadero. Falso.

En un semiconductor dopado con impurezas donadoras, a temperaturas medias, la concentración de las impurezas ionizadas es aproximadamente igual a la concentración total de impurezas donadoras. Verdadero. Falso.

Las impurezas en un semiconductor intrínseco crean niveles de energía en la banda de conducción, próximos a la banda de valencia. Verdadero. Falso.

Las unidades de la densidad de corriente son empeños dividido entre volumen. Verdadero. Falso.

El tiempo de relajación tiempo existente entre el choque de los portadores es directamente proporcional a la masa efectiva de estos portadores. Verdadero. Falso.

En los semiconductores con impurezas donadoras la concentración de electrones es menor que la concentración de huecos. Verdadero. Falso.

En los semiconductores con impurezas aceptoras existe una mayor concentración de huecos que de electrones. Verdadero. Falso.

La movilidad de una partícula cargada es inversamente proporcional al campo eléctrico al que está sometido dicho portador. Verdadero. Falso.

La ionización de impurezas no empieza a temperaturas bajas. Verdadero. Falso.

En los semiconductores con impurezas trivalentes EA — Ev < Eg. Verdadero. Falso.

La ionización de impurezas no depende de la temperatura del sistema, pero si depende de la función de probabilidad de ocupación de dicho nivel. Verdadero. Falso.

Los semiconductores no alcanzan la banda de conducción con una determinada energía térmica. Verdadero. Falso.

Los metales no tienen la anchura de banda prohibida superior a 0,2 eV. Verdadero. Falso.

La concentración de electrones en un semiconductor intrínseco depende de la concentración de huecos en la banda de valencia. Verdadero. Falso.

En el proceso de ionización, las impurezas pentavalentes de un semiconductor donador capturan el electrón que les falta. Verdadero. Falso.

En un semiconductor extrínseco tipo n tras la ionización total la concentración de portadores mayoritarios no es igual la concentración de impurezas donadoras ionizadas negativamente. Verdadero. Falso.

Un hueco solo tiene carga neutra a temperatura ambiente. Verdadero. Falso.

Los semiconductores no conducen la corriente eléctrica en la temperatura del cero absoluto. Verdadero. Falso.

La probabilidad de que un electrón no esté en la banda de conducción a 0ºK es 1. Verdadero. Falso.

Un portador es una partícula no ligada que transporta una carga eléctrica y que no puede moverse libremente. Verdadero. Falso.

Los materiales dopados con impurezas pentavalentes capturan un electrón y dejan un hueco libre. Verdadero. Falso.

En los semiconductores con impurezas donadoras la concentración de huecos no es mayor que la concentración de electrones. Verdadero. Falso.

En un semiconductor dopado con impurezas trivalentes, a temperatura medias, la concentración de impurezas ionizadas es aproximadamente la misma en órdenes de magnitud que la concentración de impurezas aceptoras total. Verdadero. Falso.

Probabilidad de ocupación de un nivel en función de una energía se representa por la distribución de Dirac. Verdadero. Falso.

La anchura de la banda prohibida en un semiconductor no representa la energía necesaria para que un electrón alcance la banda de valencia. Verdadero. Falso.

La anchura de la banda prohibida en un material conductor no depende de la temperatura a la que se encuentra el material. Verdadero. Falso.

En un semiconductor dopado con impurezas trivalentes, a temperatura medias, la concentración de impurezas ionizadas difiere en varios órdenes de magnitud de la concentración de impurezas aceptoras total. Verdadero. Falso.

El nivel de Fermi en un aislante no está dentro de la banda de conducción. Verdadero. Falso.

Un semiconductor en el cero absoluto (273ºK) no se comporta como un aislante, los electrones tienen la energía suficiente para alcanzar la banda de conducción. Verdadero. Falso.

Las impurezas trivalentes generan un nivel donador más próximo a la banda de valencia que a la banda de conducción. Verdadero. Falso.

La banda de valencia está formada por electrones libres, que son los responsables de los enlaces entre átomos. Verdadero. Falso.

Nc no representa la densidad máxima de huecos permitidos en la banda de valencia. Verdadero. Falso.

Las impurezas pentavalentes provocan que los electrones de la banda de valencia salten al nivel aceptor antes que a la banda de conducción, dejando un hueco libre en la banda de valencia. Verdadero. Falso.

En un semiconductor tipo p, la concentración de portadores minoritarios se representa a la concentración de electrones del sistema. Verdadero. Falso.

La estructura de un semiconductor se caracteriza por la presencia de enlaces iónicos. Verdadero. Falso.

Las impurezas en un semiconductor extrínseco crean niveles de energía en la banda de conducción, próximos a la banda de valencia. Verdadero. Falso.

Los semiconductores compensados no son semiconductores intrínsecos a los que les añaden impurezas donadoras y aceptadoras a la vez. Verdadero. Falso.

La movilidad de un portador es inversamente proporcional al tiempo entre los choques de los portadores y se denomina tiempo de relajación. Verdadero. Falso.

La movilidad de los portadores disminuye con la temperatura. Verdadero. Falso.

Los semiconductores intrínsecos no cumplen la ley de acción de masas. Verdadero. Falso.

En los semiconductores intrínsecos a muy bajas temperaturas, la concentración de portadores positivos no difiere de la concentración de portadores negativos. Verdadero. Falso.

Las impurezas trivalentes generan un nivel aceptor más próximo a la banda de conducción que a la banda de valencia. Verdadero. Falso.

La concentración de portadores en la banda de conducción depende de la densidad de estados en la banda de conducción y su probabilidad de no ocupación. Verdadero. Falso.

A temperaturas bajas no se puede aplicar la hipótesis de ionización total de un semiconductor extrínseco y no se conoce la concentración intrínseca. Verdadero. Falso.

Los materiales pentavalentes en un semiconductor generan una ionización positiva al no liberar electrones. Verdadero. Falso.

En los semiconductores con impurezas donadoras se crea un nivel energético en la banda prohibida, más lejos de la banda de conducción que de la banda de valencia. Verdadero. Falso.

La distribución de Maxwell-Bolzmann es una aproximación de la expresión de Fermi-Dirac. Verdadero. Falso.

En los semiconductores extrínsecos a altas temperaturas la concentración de impurezas no es superior a la concentración intrínseca. Verdadero. Falso.

Los aislantes no tienen una anchura de banda prohibida inferior a 0,2 eV. Verdadero. Falso.

La ley de acción de masas enuncia: n • p = 2 • ni. Verdadero. Falso.

Los semiconductores con impurezas donadoras y aceptoras se denominan semiconductores intrínsecos. Verdadero. Falso.

La función de trabajo no es la energía máxima necesaria para arrancar un electrón de un sólido y sacarlo fuera de la superficie. Verdadero. Falso.

Nc no representa la densidad máxima de huecos permitidos en la banda de valencia. Verdadero. Falso.

El tiempo de relajación o tiempo existente entre el choque de los portadores es directamente proporcional a la masa efectiva de estos portadores. Verdadero. Falso.

La presencia de impurezas aceptoras en un semiconductor hace que en el sistema se necesite una mayor energía para la creación de un hueco extra, que para la formación de un par electrón-hueco. Verdadero. Falso.

KT/q es la energía térmica a 300ºK, no tiene un valor de 0.026 V. Verdadero. Falso.

En un semiconductor extrínseco la concentración de electrones y de huecos es la misma. Verdadero. Falso.

En un semiconductor extrínseco el nivel de fermi está en la mitad de la banda prohibida: Verdadero. Falso.

En los semiconductores con impurezas trivalentes no existe una mayor concentración de electrones que de huecos: Verdadero. Falso.

En un semiconductor extrínseco existen átomos de la misma naturaleza, pero con otra valencia que los átomos que constituyen la red principal: Verdadero. Falso.

La banda de conducción está formada por electrones libres, que no son los responsables de la corriente eléctrica: Verdadero. Falso.

Los semiconductores extrínsecos dopados con impurezas trivalentes a temperaturas altas se comportan como semiconductores intrínsecos: Verdadero. Falso.

A temperaturas bajas no se puede aplicar la hipótesis de ionización total de un semiconductor extrínseco, pero si se conoce la concentración intrínseca a bajas temperaturas: Verdadero. Falso.

Un portador es una partícula no ligada que transporta una carga eléctrica, pero que no puede moverse libremente: Verdadero. Falso.

En un átomo existen un número de orbitales que no depende de su número atómico: Verdadero. Falso.

En un semiconductor intrínseco la concentración de electrones y de huecos no es la misma: Verdadero. Falso.

Las unidades de la densidad de corriente son amperios dividido entre volumen: Verdadero. Falso.

En los semiconductores extrínsecos la concentración de electrones es igual a la concentración de huevos: Verdadero. Falso.

Los semiconductores no conducen la corriente eléctrica al cero absoluto. Verdadero. Falso.

Un semiconductor degenerado es el elaborado con materiales de escasa pureza: Verdadero. Falso.

La concentración de portadores en la banda de conducción depende de la densidad de estados en la banda de conducción y su probabilidad de ocupación: Verdadero. Falso.

Las impurezas en un semiconductor extrínseco crean niveles de energía en la banda de conducción, próximos a la valencia: Verdadero. Falso.

Los semiconductores con impurezas pentavalentes generan una ionización positiva al perder electrones ligados a la red cristalina: Verdadero. Falso.

A mayor temperatura existe una mayor vibración térmica de los portadores de un semiconductor, por lo que la probabilidad de choques es mayor: Verdadero. Falso.

La presencia de impurezas aceptoras en un semiconductor hace que se necesite una mayor energía para la creación de un hueco extra que para la formación de un par electrón-hueco: Verdadero. Falso.

El germanio es un semiconductor: Verdadero. Falso.

El estaño es un semiconductor: Verdadero. Falso.

El grafito es un semiconductor: Verdadero. Falso.

Los semiconductores tienen la anchura de banda prohibida mayor de 1 eV. Verdadero. Falso.

Los metales tienen la anchura de banda prohibida del orden de 0,2 Ev: Verdadero. Falso.

Los semiconductores no conducen la corriente eléctrica al cero absoluto: Verdadero. Falso.

Un semiconductor degenerado es el elaborado con materiales de escasa pureza. Verdadero. Falso.

La ley de acción de masas enuncia: n + p = ni * 2: Verdadero. Falso.

La distribución de Maxwell-Bolzmann es una aproximación de la de Fermi-Dirac. Verdadero. Falso.

A temperaturas medias la concentración de portadores en semiconductores extrínsecos es constante: Verdadero. Falso.

A temperaturas media la concentración de mayoritarios = concentración de impurezas: Verdadero. Falso.

En un semiconductor degenerado el Nivel de Fermi invade la banda de Valencia o la de Conducción: Verdadero. Falso.

Los semiconductores parcialmente compensados nunca pueden ser degenerados: Verdadero. Falso.

Un semiconductor intrínseco nunca puede ser degenerado. Verdadero. Falso.

A 700ºK el silicio con ND = 1017 átomos/cm3 se comporta como intrínseco: Verdadero. Falso.

La masa efectiva de un portador en cristal no depende del tipo de cristal: Verdadero. Falso.

KT/q a 300ºK = 0.026 V: Verdadero. Falso.

Los semiconductores intrínsecos presentan conducción eléctrica a 300ºK: Verdadero. Falso.

EA– EV < Eg/2: Verdadero. Falso.

El cociente entre la constante de difusión y la movilidad es lineal con la temperatura: Verdadero. Falso.

La corriente de difusión en una muestra aislada saca al semiconductor del equilibrio: Verdadero. Falso.

La resistencia eléctrica de una muestra semiconductora aumenta con la temperatura: Verdadero. Falso.

Las corrientes de arrastre y difusión no pueden aparecer juntas en una muestra aislada: Verdadero. Falso.

La corriente de difusión es proporcional al”- gradiente de la concentración de portadores”: Verdadero. Falso.

Un portador es toda carga eléctrica: Verdadero. Falso.

Es correcta la expresión: j = E ( u(e)n + u(h)p): Verdadero. Falso.

La concentración atómica en elementos sólidos es del orden de 1018 átomos/cm3: Verdadero. Falso.

Una muestra aislada con NA no homogénea produce una diferencia de potencial: Verdadero. Falso.

Es correcta la expresión: j = +q * (dn/dx)*D. Verdadero. Falso.

Es correcta la expresión en un semiconductor intrínseco: n = Nr *(e^(-Eg/2KT)). Verdadero. Falso.

La presencia de impurezas aceptoras en un semiconductor hace que en el sistema no se necesite una mayor energía para la creación de un hueco extra, que para la formación de un par electrón-hueco. Verdadero. Falso.

Un semiconductor intrínseco no se presenta en estado puro. Verdadero. Falso.

En un aislante el nivel de fermi no está en la mitad de la banda prohibida. Verdadero. Falso.

El germanio no es un semiconductor: Verdadero. Falso.

A mayor temperatura existe una mayor vibración térmica de los portadores que constituyen un semiconductor, por lo que la probabilidad de choques disminuye. Verdadero. Falso.

Los semiconductores tienen la anchura de banda prohibida mayor de 1,2 eV: Verdadero. Falso.

La resistencia eléctrica de una muestra semiconductora no aumenta con la temperatura: Verdadero. Falso.

La superconductividad de un material representa la movilidad infinita de los portadores a altas temperaturas. Verdadero. Falso.

En un semiconductor la concentración de electrones en la banda de conducción no aumenta con la temperatura. Verdadero. Falso.

Los materiales aislantes poseen una banda de valencia que se solapa con la banda de conducción solo a temperaturas bajas. Verdadero. Falso.

El nivel de Fermi en un metal está fuera de la banda de conducción. Verdadero. Falso.

La concentración de huecos en un semiconductor no depende de la concentración de electrones en la banda de valencia. Verdadero. Falso.

A mayor masa efectiva de un portador su movilidad es menor. Verdadero. Falso.

Nc no representa la densidad máxima de electrones permitidos en la banda de valencia. Verdadero. Falso.

En un semiconductor tipo N no se cumple NA>ND. Verdadero. Falso.

A 0ºK la probabilidad de que un electrón esté en la banda de valencia es máxima. Verdadero. Falso.

Los semiconductores intrínsecos dopados con impurezas trivalentes (tipo P) a temperaturas altas se comportan como semiconductores intrínsecos. Verdadero. Falso.

En un semiconductor extrínseco el nivel de Fermi esta en la mitad de la banda prohibida. Verdadero. Falso.

En lo semiconductores con impurezas trivalentes no existe una mayor concentración de electrones que de huecos. Verdadero. Falso.

El esquema de la figura no corresponde a un semiconductor parcialmente compensado tipo P. Verdadero. Falso.