Especificos JR 850-1000

SU APLICACIÓN ES SIEMPRE CORRECTA O CIERTA EN LA MAYORIA DE LAS SITUACIONES DE DETECCIONES DE AVERÍAS: APROXIMACIÓN IDEAL. PRIMERA APROXIMACIÓN. SEGUNDA APROXIMACIÓN.

LA PRIMERA APROXIMACIÓN O APROXIMACIÓN IDEAL DEL DIODO, SE APLICA PARA: DETECCIÓN DE AVERIAS. AISLAMIENTO DE FALLAS. APROXIMACION IDEAL.

CUANDO SE QUIEREN OBTENER VALORES MÁS EXACTOS PARA LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN EN LA CARGA, SE APLICA: SEGUNDA APROXIMACIÓN. TERCERA APROXIMACIÓN. PRIMERA APROXIMACIÓN.

EN EL CIRCUITO EQUIVALENTE PARA LA SEGUNDA APROXIMACIÓN DE UN DIODO DE SILICIO, SI LA TENSIÓN DE THEVENIN DE LA FUENTE ES, POR LO MENOS DE EL INTERRUPTOR SE CERRARÁ. 0.7 V. 0.3 V. 0.25 V.

EN LA SEGUNDA APROXIMACIÓN DEL DIODO DE SILICIO, ESTE SE ASEMEJA A UN: INTERRUPTOR EN SERIE CON UNA BARRERA DE POTENCIAL DE 0.7 V. INTERRUPTOR EN PARALELO CON UNA BARRERA DE POTENCIAL DE 0.7 V. INTERRUPTOR EN SERIE CON UNA BARRERA DE POTENCIAL DE 0.3 V.

DURANTE LA SEGUNDA APROXIMACIÓN, CUANDO LA TENSIÓN DE THEVENIN, ES MENOR QUE 0.7 V, EL INTERRUPTOR SE ABRIRÁ; POR LO QUE: NO HABRA CORRIENTE A TRAVÉS DEL DIODO. HABRA CORRIENTE A TRAVÉS DEL DIODO. NO HABRA TENSIÓN A TRAVÉS DEL DIODO.

EN LA TERCERA APROXIMACIÓN DEL DIODO, DESPUES DE QUE EL DIODO DE SILICIO COMIENZA A CONDUCIR, LA TENSIÓN AUMENTA LINEAL O _______CON LOS INCREMENTOS DE LA CORRIENTE. PROPORCIONALMENTE. LINEALMENTE. INVERSAMENTE.

EN LA TERCERA APROXIMACIÓN DEL DIODO SE INCLUYE LA RESISTENCIA INTERNA: RB. RF. RR.

CUANDO SU RESISTENCIA ES EXTREMADAMENTE PEQUEÑA EN AMBAS DIRECCIONES, EL ESTADO DEL DIODO ES: DIODO EN CORTO CIRCUITO. DIODO EN CORTO. DIODO CON RESISTENCIA BAJA.

CUANDO SU RESISTENCIA ES MUY ELEVADA EN AMBAS DIRECCIONES, EL ESTADO DEL DIODO ES: DIODO EN CIRCUITO ABIERTO. DIODO EN CORTO CIRCUITO. DIODO CON FUGAS.

CUANDO SU RESISTENCIA ES ALGO BAJA EN LA DIRECCIÓN INVERSA, EL ESTADO DEL DIODO ES: DIODO CON FUGAS. DIODO EN CORTO CIRCUITO. DIODO ABIERTO.

EN ALGUNAS HOJAS DE CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS, LA TENSIÓN INVERSA DE RUPTURA PUEDE SER DESIGNADA PIV, PRV Ó: BV. VB. VV.

LOS DISEÑADORES DE CIRCUITOS CON DIODOS EMPLEAN EN SUS DISEÑOS, FACTORES DE SEGURIDAD PARA LA CORRIENTE MÁXIMA CON POLARIZACIÓN DIRECTA HASTA DE: 10:01. 10:10. 1:10.

EN LA CURVA DEL DIODO; LA RESISTENCIA INTERNA ES IGUAL A LA INVERSA DE LA PENDIENTE POR ENCIMA DE LA: TENSIÓN DE UMBRAL. TENSIÓN DE RUPTURA. TENSIÓN DE POLARIZACIÓN.

SE TOMA EL COCIENTE DE LA TENSIÓN TOTAL ENTRE LA CORRIENTE TOTAL DE UN DIODO PARA OBTENER LA: RESISTENCIA EN CONTINUA DEL DIODO. RESISTENCIA DEL DIODO. RESISTENCIA CONTINUA DEL DIODO.

¿CÓMO SE SIMBOLIZA LA RESISTENCIA EN CONTINUA DEL DIODO EN LA ZONA DE POLARIZACIÓN DIRECTA?. RF. RR. RB.

¿CÓMO SE SIMBOLIZA LA RESISTENCIA EN CONTINUA DEL DIODO EN LA ZONA DE POLARIZACIÓN INVERSA?. RR. RF. RB.

ES UNA HERRAMIENTA EMPLEADA PARA HALLAR EL VALOR EXACTO DE LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN DEL DIODO: RECTA DE CARGA. CURVA DE CARGA. LINEAS DE CARGA.

LAS RECTAS DE CARGA SON ÚTILES ESPECIALMENTE PARA LOS: TRANSISTORES. DIODOS. SEMICONDUCTORES.

¿CUÁL ES EL PUNTO DE INTERSECCIÓN EN LA GRÁFICA DE UNA RECTA DE CARGA Y LA CURVA DE UN DIODO?. PUNTO Q. PUNTO I. PUNTO DE POLARIDAD.

SE TRATA DE UN DIODO DE SILICIO QUE SE HA DISEÑADO PARA QUE FUNCIONE EN LA ZONA DE RUPTURA: DIODO ZENER. DIODO SHOKKY. DIODO TUNEL.

EL DIODO ZENER A VECES ES LLAMADO: DIODO DE AVALANCHA. VARICAP. VARISTOR.

ES EL DIODO QUE TIENE LA CARACTERISTICA DE FUNCIONAR EN CUALQUIERA DE LAS TRES ZONAS: DIRECTA, DE FUGAS Y DE RUPTURA. DIODO ZENER. DIODO TUNEL. DIODO SHOKKY.

UN DIODO ZENER RECIBE EL NOMBRE DE DIODO REGULADOR DE TENSIÓN POR QUE MANTIENE LA TENSIÓN ENTRE SUS TERMINALES CONSTANTE, INCLUSO CUANDO LA CORRIENTE SUFRA CAMBIOS, EN CONDICIONES NORMALES EL DIODO ZENER DEBE TENER: POLARIZACIÓN INVERSA. POLARIZACIÓN DIRECTA. POLARIZACIÓN DEL DIODO.

EL DIODO ZENER FUNCIONA EN LA ZONA DE RUPTURA Y MANTIENE CONSTANTE ______INCLUSO CUANDO LA TENSION EN LA FUENTE CAMBIE O LA RESISTENCIA DE CARGA VARÍE. LA TENSIÓN EN LA CARGA. LA TENSIÓN DE CARGA. LA TENSIÓN.

ES EL CAMBIO EN LA TENSIÓN DE RUPTURA POR CADA GRADO QUE AUMENTA LA TEMPERATURA EN UN DIODO ZENER: COEFICIENTE DE TEMPERATURA. TEMPERATURA DE TRABAJO. TEMPERATURA DE CARGA.

PARA DIODOS ZENER CON TENSIÓN DE RUPTURA MENORES DE 4 V,EL COEFICIENTE DE TEMPERATURA ES: NEGATIVO. POSITIVO. LINEAL.

PARA DIODOS ZENER CON TENSIÓN DE RUPTURA MAYORES DE 6 V, EL COEFICIENTE DE TEMPERATURA ES: POSITIVO. NEGATIVO. LINEAL.

EL CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO ZENER ES: UNA RESISTENCIA ZENER EN SERIE CON UNA BATERÍA IDEAL. UNA RESISTENCIA ZENER EN PARALLELO CON UNA BATERÍA IDEAL. UNA RESISTENCIA ZENER EN SERIE CON UNA BATERÍA.

LA DISIPACIÓN DE POTENCIA DE UN DIODO ZENER SE RELACIONA DE LA SIGUIENTE MANERA: PZ ES IGUAL AL PRODUCTO DE SU TENSIÓN POR SU CORRIENTE. PZ ES IGUAL AL PRODUCTO DE SU CORRIENTE POR SU TENSIÓN. PZ ES IGUAL AL PRODUCTO DE SU TENSIÓN POR SU RESISTENCIA AL CUADRADO.

LOS DIODOS ZENER DISPONIBLES, COMERCIALMENTE TIENEN LIMITACIONES DE POTENCIA DESDE: 1/4 HASTA MÁS DE 50 W. 1/4 HASTA 50 W. 1/4 HASTA MÁS DE 500 W.

LOS DISEÑADORES CONSERVADORES DE DIODOS ZENER, PARA LA DISIPACIÓN DE POTENCIA EMPLEAN UN FACTOR DE SEGURIDAD DE: DOS O MÁS. TRES O MAS. 10:01.

CUANDO UN CIRCUITO NO ESTÁ FUNCIONANDO CORRECTAMENTE, LA PERSONA QUE VA A DETECTAR LA AVERÍA, ¿QUE MEDICIONES DEBERA EFECTUAR PRIMERO, QUE LE DARA LA PISTA PARA AISLAR EL PROBLEMA?. MEDICIONES DE TENSIÓN. MEDICIONES DEL DIODO. MEDICIONES DE CORRIENTE.

ES LA TECNOLOGÍA QUE COMBINA LA ÓPTICA CON LA ELECTRÓNICA: OPTOELECTRÓNICA. OPTICA ELECTRÓNICA. ELECTRO-OPTICA.

EL CAMPO DE LA OPTOELECTRÓNICA INCLUYE MUCHOS DISPOSITIVOS BASADOS EN LA ACCIÓN DE: UNA UNIÓN PN. UNA UNIÓN NP. UNA UNIÓN PNP.

EN UN LED CON POLARIZACIÓN DIRECTA LOS ELECTRONES LIBRES ATRAVIESAN LA UNIÓN Y CAEN EN LOS HUECOS, COMO CAEN DE NIVELES ENERGETICOS ALTOS A NIVELES BAJOS, EMITEN: ENERGÍA. LUZ. RADIACIÓN.

SON LOS ELEMENTOS QUE LOS FABRICANTES EMPLEAN PARA PRODUCIR LED QUE EMITEN LUZ ROJA, VERDE, AMARILLA, AZUL, NARANJA O INFRARROJA: GALIO, ARSÉNICO Y FÓSFORO. GALIO, ARSÉNICO Y FÓSGENO. GALIO, AMONIO Y FÓSFORO.

LOS LED TIENEN TENSIONES DE RUPTURA BAJAS, TÍPICAMENTE ENTRE POR LO QUE SE DESTRUYE FÁCILMENTE SI SE POLARIZAN EN INVERSA CON DEMASIADA TENSIÓN. 3 Y 5 V. 0.3 Y 0.7 V. 0.25 Y 1.3 V.

ES UN DIODO CUYA SENSIBILIDAD A LA LUZ ES MÁXIMA, EN ESTE TIPO DE DIODO, UNA VENTANA PERMITE QUE LA LUZ PASE POR EL ENCAPSULADO HASTA LA UNIÓN, A MEDIDA QUE LA LUZ SE HACE MÁS INTENSA, LA CORRIENTE INVERSA AUMENTA: FOTODIODO. DIODO LED. OPTOTRANSISTOR.

DISPOSITIVO QUE COMBINA UN LED Y UN FOTODIODO EN UN SOLO ENCAPSULADO: OPTOACOPLADOR. OPTOAISLADOR. OPTOTRANSISTOR.

DISPOSITIVO QUE PRODUCE LUZ COHERENTE, LO QUE SIGNIFICA QUE TODAS LAS ONDAS LUMINOSAS ESTÁN EN FASE ENTRE SÍ. DIODO LÁSER. DIODO LED. DIODO TUNEL.

LAS APLICACIONES MÁS IMPORTANTES DE LOS DIODOS SCHOTTKY SE HALLAN: LAS COMPUTADORAS DIGITALES. CIRCUITOS DIGITALES. PROCESADORES.

CON POLARIZACIÓN DIRECTA UN DIODO SCHOTTKY TIENE UNA BARRERA DE POTENCIAL DE: 0.25 V. 0.3 V. 0.55 V.

ESTE DIODO TAMBIÉN ES LLAMADO DIODO DE SINTONÍA, SE USA MUCHO EN RECEPTORES DE TELEVISIÓN, RECEPTORES DE FM Y OTROS CIRCUITOS DE COMUNICACIONES. EL VARICAP. TIRISTOR. VARISTOR.

ES LA MANERA COMO SE REPRESENTA EL SÍMBOLO ESQUEMÁTICO DE UN VARICAP: UN CONDENSADOR EN SERIE CON UN DIODO. UN CONDENSADOR EN PARALELO CON UN DIODO. UN CONDENSADOR Y UN DIODO.

PARA OBTENER INTERVALOS DE SINTONÍA MÁS EXTENSO, UN VARICAP HIPERABRUPTO TIENE UN INTERVALO DE SINTONÍA APROXIMADAMENTE DE: 10:1. 10:10. 100:10.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EQUIVALE A DOS DIODOS ZENER OPUESTOS CON UNA GRAN TENSIÓN DE RUPTURA EN AMBAS DIRECCIONES: VARISTOR. VARICAP. TIRISTOR.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE MANTIENE LA CORRIENTE QUE CIRCULA A TRAVÉS DE ELLOS EN UN VALOR FIJO, INCLUSO CUANDO VARÍE LA TENSIÓN APLICADA. DIODO DE CORRIENTE CONSTANTE. DIODO DE TENSIÓN CONSTANTE. DIODO DE CORRIENTE CONTINÚA.

EN ESTE TIPO DE DIODOS SE PRESENTA UN FENÓMENO CONOCIDO COMO RESISTENCIA NEGATIVA. DIODOS TUNEL. DIODO SHOKKY. DIODO AVALANCHA.

PARA QUE UN REGULADOR ZENER PUEDA MANTENER CONSTANTE LA TENSIÓN DE SALIDA, EL DIODO ZENER DEBE PERMANECER EN LA ________ EN TODAS LAS CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO. ZONA DE RUPTURA. ZONA DE CARGA. ZONA DE UMBRAL.

EN LA ESTRUCTURA ATÓMICA DE UN CONDUCTOR, LOS ELECTRONES VIAJAN EN DISTINTAS_____ TAMBIÉN LLAMADOS CAPAS. ORBITALES. LINEAS. ORBITAS.

EL NÚCLEO ATÓMICO ATRAE A LOS ELECTRONES ORBITALES, ESTOS NO CAEN HACIA EL NUCLEO DEBIDO A LA FUERZA CENTRÍFUGA ________CREADA POR SU MOVIMIENTO ORBITAL. HACIA FUERA. CONTRARIA. OPUESTA.

EN ELECTRÓNICA, LO ÚNICO QUE IMPORTA ES EL ORBITAL EXTERIOR, EL CUAL TAMBIÉN SE DENOMINA ,ES _______ÉSTE ORBITAL EXTERIOR EL QUE DETERMINA LAS PROPIEDADES ELÉCTRICAS DEL ÁTOMO. ORBITAL DE VALENCIA. LINEA DE INCERTIDUMBRE. ORBITAL.

COMO EL ELECTRÓN DE VALENCIA ES ATRAÍDO MUY DÉBILMENTE POR LA PARTE INTERNA DEL ÁTOMO, UNA FUERZA EXTERNA PUEDE ARRANCAR FÁCILMENTE ESTE ELECTRÓN, AL QUE SE CONOCE COMO: ELECTRÓN LIBRE. HUECO LIBRE. ELECTRON DE VALENCIA.

ES UN ELEMENTO CON PROPIEDADES ELÉCTRICAS ENTRE LAS DE UN CONDUCTOR Y LAS DE UN AISLANTE: SEMICONDUCTOR. DIODO. CONDUCTOR.

LOS MEJORES CONDUCTORES COMO LA PLATA, EL ORO Y EL COBRE SE CARACTERIZAN POR TENER: UN ELECTRÓN DE VALENCIA. CUATRO ELECTRONES. TRES ELECTRONES.

LOS MEJORES AISLANTES SE CARACTERIZAN PORQUE TIENEN: OCHO ELECTRONES DE VALENCIA. TRES ELECTRONES DE VALENCIA. CINCO ELECTRONES DE VALENCIA.

EL GERMANIO Y EL SILICIO SON MATERIALES SEMICONDUCTORES PORQUE TIENEN: CUATRO ELECTRONES DE VALENCIA. TRES ELECTRONES DE VALENCIA. CINCO ELECTRONES DE VALENCIA.

CUANDO LOS ÁTOMOS DE SILICIO SE COMBINAN PARA FORMAR UN SÓLIDO, LO HACEN EN UNA ESTRUCTURA ORDENADA LLAMADA: CRISTAL. RED CRISTALINA. RED.

LAS VIBRACIONES DE LOS ÁTOMOS DE SILICIO PUEDEN HACER QUE SE DESLIGUE UN ELECTRÓN DEL ORBITAL DE VALENCIA, LA SALIDA DEL ELECTRÓN DEJA UN VACÍO EN EL ORBITAL DE VALENCIA, QUE SE DENOMINA: HUECO. VACANTE. ESPACIO.

EN UN CRISTAL DE SILICIO PURO SE CREAN IGUAL NÚMERO DE ELECTRONES LIBRES QUE DE HUECOS DEBIDO A LA ENERGÍA TÉRMICA, UN ELECTRÓN LIBRE SE APROXIMARÁ A UN HUECO, SERÁ ATRAÍDO Y CAERÁ HACIA ÉL, ESTA UNIÓN DE UN ELECTRÓN LIBRE Y DE UN HUECO SE LLAMA: RECOMBINACIÓN. REDISTRIBUCIÓN. TRANSFERENCIA.

ESTE SEMICONDUCTOR _____ ES UN SEMICONDUCTOR PURO. INTRÍNSECO. EXTRÍNSECO. DOPADO.

EN UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO, TIENE EL MISMO NÚMERO DE ELECTRONES LIBRES QUE DE HUECOS, AL APLICARLE UNA TENSIÓN FORZARÁ A LOS ELECTRONES LIBRES A CIRCULAR HACIA LA IZQUIERDA Y A LOS HUECOS HACIA LA DERECHA. LOS DOS TIPOS DE FLUJO. RECOMBINACION. FLUJO.

LOS ELECTRONES LIBRES Y LOS HUECOS RECIBEN A MENUDO LA DENOMINACIÓN COMÚN DE DEBIDO A QUE TRANSPORTAN LA CARGA ELÉCTRICA DE UN LUGAR A OTRO. PORTADORES. MINORITARIOS. MAYORITARIOS.

UNA FORMA DE AUMENTAR LA CONDUCTIVIDAD DE UN SEMICONDUCTOR ES MEDIANTE EL: DOPAJE. ENRIQUECIMIENTO. MODIFICACIÓN.

ESTE SEMICONDUCTOR ______ES UN SEMICONDUCTOR DOPADO: EXTRÍNSECO. INTRÍNSECO. ENRIQUECIDO.

EN EL PROCESO DE DOPAJE DE UN CRISTAL DE SILICIO, CON EL FIN DE AUMENTAR EL NÚMERO DE ELECTRONES SE LE AÑADEN: ÁTOMOS PENTAVALENTES. ÁTOMOS TRIVALENTES. ÁTOMOS LIBRES.

EN EL PROCESO DE DOPAJE DE UN CRISTAL DE SILICIO, CON EL FIN DE OBTENER UN EXCESO DE HUECOS, SE UTILIZA: IMPUREZA TRIVALENTE. IMPUREZA PENTAVALENTE. IMPUREZA.

UN SEMICONDUCTOR SE PUEDE ______ PARA QUE TENGA UN EXCESO DE ELECTRONES LIBRES O UN EXCESO DE HUECOS. DOPAR. ENRIQUECER. RECOMBINAR.

EL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON UNA IMPUREZA PENTAVALENTE SE LLAMA SEMICONDUCTOR: TIPO N. TIPO P. IMPUREZA TRIVALENTE.

EN UN SEMICONDUCTOR TIPO N, LOS ELECTRONES RECIBEN EL NOMBRE DE: PORTADORES MAYORITARIOS. PORTADORES MINORITARIOS. DOPADO.

EN UN SEMICONDUCTOR TIPO N, LOS HUECOS RECIBEN EL NOMBRE DE: PORTADORES MINORITARIOS. PORTADORES MAYORITARIOS. DOPADO.

EL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON IMPUREZAS TRIVALENTES SE LLAMA SEMICONDUCTOR: TIPO P. TIPO N. PORTADORES MAYORITARIOS.

EN UN SEMICONDUCTOR TIPO P, LOS ELECTRONES LIBRES RECIBEN EL NOMBRE DE: PORTADORES MINORITARIOS. PORTADORES MAYORITARIOS. COVALENTES.

EN UN SEMICONDUCTOR TIPO P, LOS HUECOS RECIBEN EL NOMBRE DE: PORTADORES MAYORITARIOS. PORTADORES MINORITARIOS. PORTADORES.

TIENE PROPIEDADES TAN ÚTILES QUE HA PROPICIADO TODA CLASE DE INVENTOS, EN LOS QUE SE ENCUENTRAN LOS DIODOS, LOS TRANSISTORES Y LOS CIRCUITOS INTEGRADOS. LA UNIÓN PN. LA UNIÓN NP. MATERIAL TIPO N Y P.

A MEDIDA QUE AUMENTA EL NÚMERO DE DIPOLOS, LA REGIÓN CERCANA A LA UNIÓN SE VACÍA DE PORTADORES, A ESTA ZONA SIN PORTADORES SE LA CONOCE COMO: ZONA DE DEPLEXIÓN. ZONA DE DESPEGUE. ZONA DE UMBRAL.

EL CAMPO ELÉCTRICO ENTRE LOS IONES ES EQUIVALENTE A UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL LLAMADA: BARRERA DE POTENCIAL. BARRERA DE FLUJO. BARRERA DE TRANSICION.

EN UN CIRCUITO DE UNA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA CONECTADA A UN DIODO, EL TERMINAL NEGATIVO DE LA FUENTE ESTÁ CONECTADO AL MATERIAL TIPO N, Y EL TERMINAL POSITIVO AL MATERIAL TIPO P, ESTA CONEXIÓN SE LLAMA: POLARIZACIÓN DIRECTA. POLARIZACIÓN. POLARIZACIÓN INVERSA.

EN UN CIRCUITO DE UNA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA CONECTADA A UN DIODO, EL TERMINAL NEGATIVO DE LA BATERÍA SE ENCUENTRA CONECTADO AL LADO P Y EL TERMINAL POSITIVO LO ESTÁ AL LADO N, ESTA CONEXION SE LLAMA: POLARIZACIÓN INVERSA. POLARIZACIÓN. POLARIZACIÓN DIRECTA.

ES LA FUNCIÓN PRINCIPAL DE UN TRANSISTOR: AMPLIFICAR SEÑALES DÉBILES. AMPLIFICAR. CONMUTAR.

A LA ZONA SUPERIOR DE UN TRANSISTOR , SE LE DENOMINA: COLECTOR. BASE. EMISOR.

SON LAS ZONAS DE DOPAJE DE UN TRANSISTOR BIPOLAR: EMISOR, BASE Y COLECTOR. COMPUERTA, DRENADOR Y FUENTE. EMISOR, BASE Y CORTADOR.

A LA UNIÓN ENTRE EL COLECTOR Y LA BASE DE UN TRANSISTOR BIPOLAR; TAMBIÉN SE LE CONOCE COMO: DIODO COLECTOR. DIODO EMISOR. DIODO IDEAL.

ES LA ZONA QUE FÍSICAMENTE ES MÁS GRANDE EN UN TRANSISTOR BIPOLAR: COLECTOR. BASE. EMISOR.

ES LA ZONA DE UN TRANSISTOR BIPOLAR QUE SE ENCUENTRA FUERTEMENTE DOPADA: EMISOR. BASE. COLECTOR.

ES EL TIPO DE UNIÓN QUE EXISTE ENTRE LA BASE Y EL EMISOR DE UN TRANSISTOR NPN: PN. NP. TIPO N Y P.

PARA UN TRANSISTOR DE SILICIO EN CADA UNA DE SUS ZONAS DE DEPLEXIÓN LA BARRERA DE POTENCIAL A 25 GRADOS CENTÍGRADOS, ES APRÓXIMADAMENTE : 0.7 VOLTS. 0.3 VOLTS. 0.25 VOLTS.

PARA UN TRANSISTOR DE GERMANIO EN CADA UNA DE SUS ZONAS DE DEPLEXIÓN LA BARRERA DE POTENCIAL A 25 GRADOS CENTÍGRADOS, ES APRÓXIMADAMENTE : 0.3 VOLTS. 0.5 VOLTS. 0.7 VOLTS.

SU FUNCIÓN CONSISTE EN INYECTAR ELECTRONES LIBRES A LA BASE: EMISOR. COLECTOR. BASE.

SU PROPÓSITO CONSISTE EN DEJAR PASAR HACIA EL COLECTOR LA MAYOR PARTE DE LOS ELECTRONES LIBRES: BASE. COLECTOR. EMISOR.

ZONA DEL TRANSISTOR BIPOLAR QUE SE ENCARGA DE RECOGER LA MAYORÍA DE LOS ELECTRONES QUE PROVIENEN DE LA BASE: COLECTOR. BASE. EMISOR.

EN EL FUNCIONAMIENTO NORMAL DE UN TRANSISTOR, EL DIODO DE COLECTOR DEBE ESTAR: POLARIZADO INVERSAMENTE. POLARIZADO DIRECTAMENTE. POLARIZADO INDIRECTAMENTE.

LA MAYOR PARTE DE LOS ELECTRONES QUE CIRCULAN A LO LARGO DE LA BASE: FLUIRÁN HACIA EL COLECTOR. FLUIRÁN HACIA LA BASE. FLUIRÁN HACIA EL EMISOR.

LA MAYOR PARTE DE LOS ELECTRONES EN LA BASE DE UN TRANSISTOR NPN NO SE RECOMBINAN PORQUE: TIENE UNA LARGA VIDA. NO FLUYEN. NO EXISTEN ELECTRONES LIBRES.

LA BASE DE UN TRANSISTOR NPN ES ESTRECHA Y: LIGERAMENTE DOPADA. DOPADA. ALTAMENTE DOPADA.

CUANDO UN ELECTRON LIBRE SE RECOMBINA CON UN HUECO EN LA ZONA DE LA BASE DEL TRANSISTOR, EL ELECTRON LIBRE SE CONVIERTE EN: ELECTRON DE VALENCIA. ELECTRON. CAPA DE VALENCIA.

SE DEFINE COMO LA RELACIÓN ENTRE LA CORRIENTE CONTINUA DEL COLECTOR Y LA CORRIENTE CONTINUA DE LA BASE: BETA. ALFA. ALPHA.

SE DEFINE COMO LA CORRIENTE CONTINUA DEL COLECTOR DIVIDIDA POR LA CORRIENTE CONTINUA DEL EMISOR, Y ES LIGERAMENTE MENOR QUE UNO: ALFA. BETA. ALPHA.

SI LA GANANCIA DE CORRIENTE ES DE 200 Y LA CORRIENTE DE COLECTOR ES DE 100 MILIAMPERES, LA CORRIENTE DE BASE ES IGUAL A: 0.5 MILIAMPERES. 0.05 MILIAMPERES. 5 MILIAMPERES.

A LA BETA DE CONTINUA SE LE CONOCE TAMBIÉN COMO LA GANANCIA DE PORQUE UNA PEQUEÑA CORRIENTE DE BASE PRODUCE UNA CORRIENTE MUCHO MAYOR DE COLECTOR. CORRIENTE. TENSION. AGOTAMIENTO.

PARA TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA POR DEBAJO DE UN WATT, LA GANANCIA DE CORRIENTE TÍPICAMENTE ES DE: 100 A 300. 10 A 30. 10 A 100.

PARA TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA POR ENCIMA DE UN WATT, LA GANANCIA DE CORRIENTE NORMALMENTE ESTA ENTRE: 20 Y 100. 10 Y 100. 3 Y 30.

LA CORRIENTE DE COLECTOR DEL TRANSISTOR ES DEL ORDEN DE LOS: MILIAMPERES. AMPERES. MICROAMPERES.

ES LA CONFIGURACIÓN DEL TRANSISTOR DÓNDE EL LADO COMÚN O MASA DE CADA FUENTE DE TENSIÓN ESTA CONECTADA AL EMISOR: EMISOR COMÚN. BASE COMÚN. COLECTOR COMÚN.

EN LA ZONA DE SATURACIÓN, LA TENSIÓN COLECTOR-EMISOR DE UN TRANSISTOR VALE: 0 VOLTS. 0. 0.7 VOLTS.

A LA ZONA DE FUNCIONAMIENTO EN LA QUE EL TRANSISTOR NUNCA DEBE TRABAJAR, YA QUE EN TAL CASO SERÍA ALTAMENTE PROBABLE SU DESTRUCCIÓN O BIEN SU DEGRADACIÓN; SE LE CONOCE COMO ZONA DE: RUPTURA. UMBRAL. Q.

EN FUNCIONAMIENTO NORMAL EL DIODO DE COLECTOR DEL TRANSISTOR, TIENE POLARIZACIÓN DIRECTA, POR LO QUE EL EMISOR ENVIA ELECTRONES LIBRES HACIA LA: BASE. COLECTOR. EMISOR.

ZONA DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR, LA CUAL GRAFICAMENTE, ES LA PARTE HORIZONTAL DE LA CURVA: ACTIVA. CARACTERIZTICA. DE CARGA.

EN LA ZONA ACTIVA DE UN TRANSISTOR , LA CORRIENTE DE COLECTOR ES: CONSTANTE. VARIABLE. IGUAL.

PARA SU FUNCIONAMIENTO EL LM741C UTILIZA: CARGA ACTIVA. CAPACITANCIAS. BIFET.

LAS CARGAS ACTIVAS SON MUY COMUNES EN LOS CIRCUITOS _____PORQUE ES MÁS FÁCIL Y MENOS COSTOSO FABRICAR TRANSISTORES EN UN CHIP QUE FABRICAR RESISTENCIAS. INTEGRADOS. AMPLIFICADORES OPERACIONALES. CI.

UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL QUE ESTA COMPENSADO INTERNAMENTE, COMO EL 741C, TIENE UNA RESPUESTA DE: PRIMER ORDEN. SEGUNDO ORDEN. TERCER ORDEN.

EL 741C TIENE UNA GANANCIA DE TENSIÓN EN LAZO ____ DE 100.000, EQUIVALENTE A 100 DB: ABIERTO. CERRADO. RETROALIMENTADO.

A LOS CIRCUITOS QUE USAN AMPLIFICADORES OPERACIONALES, RESISTENCIAS Y CONDENSADORES PARA AJUSTAR LA RESPUESTA EN FRECUENCIA PARA DIFERENTES APLICACIONES; SE LES CONOCE COMO FILTROS: ACTIVOS. PASIVOS. FILTROS.

UN AMPLIFICADOR ______ TIENE POLARIZACIONES Y OFFSETS DE ENTRADA QUE PRODUCEN UNA SALIDA ERRÓNEA CUANDO NO EXISTE SEÑAL DE ENTRADA. DIFERENCIAL. INVERSOR. SEGUIDOR.

EL VALOR MPP DE UN AMPLIFICADOR ES LA MÁXIMA DE SALIDA PICO A PICO SIN RECORTAR QUE UN AMPLIFICADOR PUEDE PRODUCIR: TENSIÓN. CORRIENTE. IMPEDANCIA.

LA FRECUENCIA DE GANANCIA UNIDAD, ES LA FRECUENCIA DONDE LA GANANCIA DE TENSION ES: IGUAL A UNO. MENOS DE UNO. MAS DE UNO.

AL DISPOSITIVO INTERNO DE UN AMPLIFICADOR 741C, QUE LO PROTEGE DE OSCILACIONES QUE PUDIERAN INTERFERIR CON LA SEÑAL DESEADA; SE LE CONOCE COMO: CONDENSADOR DE COMPENSACIÓN. CAPACITANCIA DE ENTRADA. CAPACITANCIA.

REPRESENTA LA RESPUESTA MÁS RÁPIDA QUE PUEDE TENER UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL, Y ES IGUAL A LA VARIACIÓN DE LA TENSIÓN DE SALIDA DIVIDIDA POR LA VARIACIÓN TEMPORAL: VELOCIDAD DE RESPUESTA. VELOCIDAD DE REACCION. INDICE DE RESPUESTA.

EN LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES, CUANDO LA ONDA SENOSOIDAL DE SALIDA ES GRANDE O LA FRECUENCIA ES ALTA, LA VELOCIDAD DE RESPUESTA PROVOCARÁ _____DE LA SEÑAL DE SALIDA. DISTORSIÓN. INTERFERENCIA. RUIDO.

AL AMPLIFICADOR OPERACIONAL QUE UTILIZA RETROALIMENTACIÓN NEGATIVA PARA ESTABILIZAR LA GANANCIA DE TENSIÓN TOTAL; SE LE CONOCE COMO: INVERSOR. SEGUIDOR. SUMADOR.

ARTIFICIO EMPLEADO PARA ANALIZAR A UN AMPLIFICADOR INVERSOR Y A LOS CIRCUITOS RELACIONADOS CON EL, EL CUAL ACTÚA COMO UN CORTO CIRCUITO PARA TENSIÓN Y COMO UN CIRCUITO ABIERTO PARA CORRIENTE: MASA VIRTUAL. MASA. TIERRA FLOTANTE.

A LA TENSIÓN QUE EXISTE CUANDO HAY UN CAMINO DE REALIMENTACIÓN ENTRE LA SALIDA Y LA ENTRADA; SE LE DENOMINA GANANCIA DE TENSIÓN EN: LAZO CERRADO. LAZO ABIERTO. REALIMENTADO.

EL ANCHO DE BANDA EN LAZO _____ O FRECUENCIA DE CORTE DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL ES MUY BAJA A CAUSA DEL CONDENSADOR DE COMPENSACIÓN INTERNO. ABIERTO. CERRADO. REALIMENTADO.

CON ESTE TIPO DE AMPLIFICADOR LA REALIMENTACIÓN NEGATIVA TAMBIEN PROVOCA EL INCREMENTO DE LA IMPEDANCIA DE ENTRADA Y LA DISMINUCIÓN DE LA IMPEDANCIA DE SALIDA: NO INVERSOR. INVERSOR. SEGUIDOR.

LOS ______ SON AMPLIFICADORES DE AUDIO CON UNA POTENCIA DE SALIDA INFERIOR A 50 MILIWATTS Y ESTÁN ADAPTADOS PARA FUNCIONAR CON BAJO RUIDO. PREAMPLIFICADORES. FILTROS. SUMADORES.

LOS AMPLIFICADORES DE AUDIO DE NIVEL MEDIO TIENEN POTENCIAS DE SALIDA DESDE: 50 HASTA 500 MILIWATTS. 500 HASTA 5000 MILIWATTS. 5 HASTA 50 MILIWATTS.

LOS AMPLIFICADORES DE POTENCIA PROPORCIONAN MÁS DE MILIWATTS A LA SALIDA Y SE USAN EN AMPLIFICADORES, INTERFONOS, RADIOS DE AM-FM Y OTRAS APLICACIONES. 500 MILIWATTS. 5000 MILIWATTS. 50 MILIWATTS.

EL SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEALMENTE SIGNIFICA QUE EL AMPLIFICADOR TIENE____DE TENSIÓN INFINITA, IMPEDANCIA DE ENTRADA INFINITA E IMPEDANCIA DE SALIDA CERO. GANANCIA. AUMENTO. ESTABILIDAD.

UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL TÍPICO TIENE UNA ENTRADA NO INVERSORA, UNA ENTRADA INVERSORA Y SALIDA DE: UN TERMINAL. DOS TERMINALES. TRES TERMINALES.

AL AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL O PERFECTO TAMBIÉN SE LE CONOCE COMO FUENTE DE TENSIÓN CONTROLADA POR: TENSIÓN. CORRIENTE. FRECUENCIA.

UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL, ADÉMAS DE POSEER RESISTENCIA DE SALIDA CERO, CORRIENTE DE POLARIZACION CERO, TAMBIÉN TIENE OFFSETS: CERO. INFINITA. NO DEFINIDA.

LA GANANCIA DE TENSIÓN INFINITA, LA FRECUENCIA DE GANANCIA UNIDAD INFINITA, LA IMPEDANCIA DE ENTRADA INFINITA Y EL CMRR INFINITA; SON LAS PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL: IDEAL. APROXIMACION. PRIMERA APROXIMACIÓN.

EN LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES CUANDO NO SE EMPLEA LAZO DE REALIMENTACIÓN, LA GANANCIA DE TENSION ES_____Y SE DENOMINA GANANCIA DE TENSIÓN EN LAZO ABIERTO. MÁXIMA. MINIMA. IGUAL.

TIPO DE AMPLIFICADORES OPERACIONALES EMPLEADOS POR LOS DISEÑADORES CUANDO SE NECESITA UNA MAYOR RESISTENCIA DE ENTRADA, LOS CUALES INCORPORAN JFET Y TRANSISTORES BIPOLARES EN EL MISMO CHIP: BIFET. FET. BJT.

LA IMPEDANCIA DE ENTRADA DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL BIFET ES: EXTREMADANETE ALTA. EXTREMADANETE BAJA. ALTA.

EL LM741C TIENE UNA FRECUENCIA DE GANANCIA UNIDAD DE: 1 MHZ. 10 MHZ. .1 MHZ.

AL CIRCUITO AMPLIFICADOR QUE SE EMPLEA CUANDO SE NECESITA COMBINAR DOS O MÁS SEÑALES ANALÓGICAS EN UNA SOLA SALIDA; SE LE CONOCE COMO AMPLIFICADOR: SUMADOR. SEGUIDOR. INVERSOR.

UN DE TENSIÓN TIENE UNA GANANCIA DE TENSIÓN EN LAZO CERRADO DE UNO Y ES ÚTIL COMO INTERFACE ENTRE UNA FUENTE DE ALTA IMPEDANCIA Y UNA CARGA DE BAJA IMPEDANCIA. SEGUIDOR. SUMADOR. INVERSOR.

ANÁLISIS QUE CONSISTE EN DIBUJAR UNA LÍNEA RECTA SOBRE LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO QUE REPRESENTA LA CARGA APLICADA: ANÁLISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA. ANÁLISIS MEDIANTE LA FUNCION DE CARGA. ANÁLISIS MEDIANTE LA LINEA DE CARGA.

EN EL ANÁLISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA, LA INTERSECCIÓN DE ESTA CON LAS CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO DETERMINARÁN EL PUNTO DE: OPERACIÓN DEL SISTEMA. QUINICENCIA. OPERACIÓN.

EXISTEN DOS CATEGORÍAS GENERALES DE RECORTADORES: SERIE Y PARALELO. DE MEDIA ONDA Y DE ONDA COMPLETA. ACTIVOS Y PASIVOS.

EEN UN CIRCUITO RECORTADOR SERIE, EL DIODO DEBE ESTAR CONECTADO EN: SERIE CON LA CARGA. PARALELO CON LA CARGA. SERIE CON LA CARGA Y LA FUENTE.

EN UN CIRCUITO RECORTADOR PARALELO EL DIODO DEBE ESTAR CONECTADO EN: PARALELO CON LA CARGA. SERIE CON LA CARGA. EN PARALELO.

UN CIRCUITO RECORTADOR DE MEDIA ONDA RECORTARÁ LA REGIÓN POSITIVA O NEGATIVA DE LA SEÑAL DE ENTRADA, DEPENDIENDO DE LA ______ DEL DIODO: ORIENTACIÓN. POLARIZACIÓN. CONFIGURACIÓN.

UNA RED CAMBIADORA DE NIVEL PUEDE USAR UNA FUENTE DE DC INDEPENDIENTE PARA INTRODUCIR UN ____DE NIVEL DE DC ADICIONAL. CAMBIO. VALOR. NIVEL.

LA POTENCIA DISIPADA POR EL DIODO ZENER ESTA DETERMINADA POR LA ECUACIÓN: PZ =VZIZ. P=VI. P=(VI)Z.

LOS DIODOS ZENER SE UTILIZAN CON MAYOR FRECUENCIA EN LAS REDES _____O COMO UN VOLTAJE DE REFERENCIA: REGULADORAS. DE DIODOS. DE REFERENCIA.

LLOS DOBLADORES DE VOLTAJE DE MEDIA ONDA Y DE ONDA COMPLETA NO REQUIEREN DE UN TRANSFORMADOR CON DERIVACIÓN CENTRAL SINO ÚNICAMENTE UN VALOR PIV DE PARA LOS DIODOS. 2Vm. .2Vm. 2.2Vm.