Test ingeniería

A O Kelvin la probabilidad de que un electro este en la banda de valencia es max. Verdadero. falso.

A 700 grados K el SI con Nd=10^17 átomos/cm^3 se comporta como intrinseco. V. f.

a mayor masa efectiva de un portador su movilidad es menor. V. f.

A mayor temperatura existe una mayor vibración térmica de los portadores que constituyen un semiconductor por lo que la probabilidad de choque disminuye. V. f.

A mayor temperatura existe una mayor vibración térmica de los portadores de un semiconductor por lo que la probabilidad de choques es mayor. v. f.

A temp medias la concentración de portadores en semiconductores extrínsecos es constante. V. f.

A temperaturas altas un semiconductor compensado con una concentración de impurezas aceptoras mayor que la concentración de impurezas donadoras no se comporta como un semiconductor intrínseco. v. f.

A temperaturas bajas no se puede aplicar la hipótesis de ionización total de un semiconductor extrínseco y no se conoce la concentración intrínseca. V. f.

A temperaturas medias la concentración de mayoritarios = concentración de impurezas. V. f.

A temperaturas bajas no se puede aplicar la hipótesis de la ionización total de un semiconductor extrínseco, pero si se conoce la concentración intrínseca a bajas temperaturas. V. f.

A una temperatura de 700 K una muestra de SI dopado con impurezas donadoras con una Nd de 10^17 átomos/cm^3 se comporta como semiconductor intrínseco. V. f.

Ea – Ev < Eg/2. V. f.

El cociente entre la constante de difusión y la movilidad es lineal con la temperatura. V. f.

El estaño es semiconductor. V. f.

El germanio es un semiconductor. V. f.

El grafito es un semiconductor. V. f.

El nivel de fermi en un aislante no esta dentro de la banda de conducción. V. f.

El nivel de fermi en un metal esta fuera de la banda de conducción. V. f.

El proceso de ionización de impurezas de un semiconductor extrínseco permite establecer la generación de pares de electrón hueco con menores niveles de energía. V. f.

El proceso de ionización de impurezas de un semiconductor intrínseco permite establecer la generación de pares de electro hueco con menores energía. V. f.

El silicio es semiconductor. V. f.

El empo de relajación o empo existente entre el choque de los portadores es directamente proporcional a la masa efecva de estos portadores. V. f.

El empo de relajación existente entre el choque de los portadores es directamente proporcional a la masa efecva de estos portadores. V. f.

En 0 grados K existen electrones en la banda de conducción. V. f.

En el proceso de ionización las impurezas pentavalentes de un semiconductor donador no capturan un electrón. V. f.

En el proceso de ionización las impurezas pentavalentes de un semiconductor donador no pierden el electrón sobrante. V. f.

En el proceso de ionización las impurezas pentavalentes de un semiconductor donador capturan el electrón que falta. V. f.

En los semiconductores extrínsecos la concentración de electrones es igual que la de huecos. V. f.

En los semiconductores con impurezas aceptroras existe una mayor concentración de huecos que de electrones. V. f.

En los semiconductores con impurezas donadoras la concentración de electrones es menor que la concentración de huecos. V. f.

En los semiconductores con impurezas donadoras la concentración de huecos no es mayor que la concentración de electrones. V. f.

En los semiconductores con impurezas donadoras se crea un nivel energéco en la banda prohibida mas lejos en banda de valencia que en la banda de conducción. V. f.

En los semiconductores con impurezas donadoras se crea un nivel energéco en la banda prohibida mas lejos de la banda de conducción que la banda de valencia. V. f.

En los semiconductores con impurezas trivalentes no existe mayor concentración de electrones que de huecos. V. f.

En los semiconductores con impurezas trivalentes Ea-Ev<Eg. V. f.

En los semiconductores extrínsecos a altas temperaturas la concentración de impurezas no es superior a la concentración intrínseca. V. f.

En los semiconductores con impurezas trivalentes no existe una mayor concentración de electrones que de huecos. V. f.

En los semiconductores intrínsecos a muy bajas temperaturas la concentración de portadores positivos es diferente a la de los portadores negavos. V. f.

En los semiconductores intrínsecos a muy bajas temperaturas la concentración de portadores positivos no difiere en la concentración de portadores negativos. V. f.

En un aislante el nivel de fermi no esta en la mitad de la banda prohibida. V. f.

En un átomo existen un número connuo de orbitales según su energía. V. f.

En un átomo existen un numero de orbitales que no dependen de su numero atómico. V. f.

En un átomo existen un numero de orbitales que no depende de su número másico. V. f.

En un semi extrínseco la concentración de electrones y huecos es la misma. V. f.

En un semiconductor compensado po P, la concentración de impurezas donadoras no es mayor que la concentración de impurezas aceptoras. V. f.

En un semiconductor degenerado el nivel de fermi invade la banda de valencia o la de conducción. V. f.

En un semiconductor dopado con impurezas aceptoras a temperaturas medias la concentración de las impurezas ionizadas no es igual a la concentración total de impurezas donadoras. V. f.

En un semiconductor dopado con impurezas trivalentes a temperaturas medias la concentración de impurezas ionizadas difiere en varios ordenes de magnitud de la concentración de impurezas aceptoras total. V. f.

En un semiconductor dopado con impurezas donadoras a temperaturas medias la concentración de impurezas ionizadas es aproximadamente igual a la concentración total de impurezas donadoras. V. f.

En un semiconductor dopado con impurezas trivalentes a temperaturas medias la concentración de impurezas ionizadas es aproximadamente la misma en ordenes de magnitud que la concentración de impurezas aceptoras. V. f.

En un semiconductor extrínseco el nivel de Fermi esta en la mitad de la banda prohibida. V. f.

En un semiconductor extrínseco existen átomos de la misma naturaleza, pero con otra valencia que los átomos que constuyen la red principal. V. f.

En un semiconductor extrínseco tipo N, tras la ionización total la concentración de portadores mayoritarios no es igual a la concentración de impurezas donadoras ionizadas negativamente. v. f.

En un semiconductor intrínseco la concentración de electrones y de huecos no es la misma. v. f.

En un semiconductor intrínseco existen átomos de la misma naturaleza, pero con otra valencia que los átomos que contribuyen la red principal. v. f.

En un semiconductor la concentración de electrones en la banda de conducción no aumenta con la temperatura. v. f.

En un semiconductor intrínseco el nivel de fermi no esta en la mitad de la banda prohibida. V. f.

En un semiconductor Ɵpo N no se cumple NA>ND. v. f.

En un semiconductor Ɵpo P la concentración de portadores minoritarios de portadores minoritarios representa a la concentración de electrones del sistema. f. v.

60. Es correcta la expresión j=q*(dn/dx) *D. v. f.

61. Es correcta la expresión en un semiconductor intrinseco n=Nr*(e^(-Eg/2KT)). v. f.

62. Es correcta la expresión j=E(ue*n+uh*p). V. f.

63. K/T a 300 grados K=0.026V. v. f.

64. KT/q es la energía térmica a 300 grados K no Ɵene un valor de 0.026V. V. f.

65. La anchura de banda prohibida en un material conductor no depende de la temperatura a la que se encuentra el material. v. f.

66. La anchura de banda prohibida en un semiconductor no representa la energía necesaria para que un electrón alcance la banda de valencia. v. f.

67. La banda de conducción esta formada por electrones libres que no son los responsables de la corriente eléctrica. v. f.

68. La banda de valencia no es la energía máxima necesaria para arrancar un electrón de un sólido y sacarlo fuera de la superficie. v. f.

69. La banda de valencia esta formada por electrones libres que son los responsables de los enlaces entre átomos. V. f.

70. La banda de valencia no esta formada por electrones que forman los enlaces entre átomos y que no intervienen en la conducción eléctrica. v. f.

71. La concentración de portadores en la banda de conducción depende de la densidad de estado en la banda de conducción y su probabilidad de ocupación. v. f.

72. La concentración atómica en los elementos sólidos es del orden de 10^18 átomos/cm3. V. f.

73. La concentración de electrones en un semiconductor intrínseco depende de la concentración de huecos en la banda de conducción. v. f.

74. La concentración de electrones en un semiconductor intrínseco depende de la concentración de huecos en la banda de valencia. V. f.

75. La concentración de electrones en un semiconductor intrínseco depende de la concentración de huecos en la banda de conducción. v. f.

76. La concentración de huecos en un semiconductor no depende de la concentración de electrones en la banda de valencia. V. f.

77. La concentración de portadores en la banda de conducción depende de la densidad de estados en la banda de conducción y su probabilidad de no ocupación. v. f.

78. La corriente de difusión es proporcional al gradiente de la concentración de portadores. v. f.

79. La corriente de difusión en una muestra aislada saca el semiconductor de equilibrio. v. f.

80. La distribución de Maxwell Boltzmann es una aproximación de la de fermi Dirac. V. f.

81. La estructura de un semiconductor se caracteriza por la presencia de enlaces iónicos. V. f.

82. La estructura ơpica de un aislante es una estructura tetraédrica cada átomo se encuentra unido a otros catetos mediante enlaces covalentes. v. f.

83. La ionización de impurezas depende de la temperatura del sistema, pero no depende de la función de probabilidad de ocupación de dicho nivel. v. f.

84. La ionización de impurezas no depende de la temperatura del sistema, pero si depende de la función de probabilidad de ocupación de dicho nivel. v. f.

85. La ionización de impurezas no empieza a temperaturas bajas. v. f.

86. La ley de acción de masas enuncia: n*p=2*ni. V. f.

87. La ley de acción de masas enuncia: n+p=n^2. v. f.

88. La masa efecƟva de un portador en cristal no depende del Ɵpo de cristal. V. f.

89. La movilidad de un portador es inversamente proporcional al Ɵempo entre los choques de los portadores y se denomina Ɵempo de relajación. V. f.

90. La movilidad de los portadores disminuye con la temperatura. v. f.

91. La movilidad de una parơcula cargada es inversamente proporcional al campo eléctrico al que este someƟdo dicho portador. V. f.

92. La presencia de impurezas aceptoras en un semiconductor hace que en el sistema se necesite una mayor energía para la creación de un hueco extra para a formación de un par electrón hueco. V. f.

93. La presencia de impurezas aceptoras en un semiconductor hace que se necesite una mayor energía para la creación de un hueco extra para que la formación de un par electrón hueco. V. f.

94. La probabilidad de que un electrón no este en la banda de conducción a 0 grados K es 1. v. f.

95. La resistencia eléctrica de un material es inversamente proporcional a su sección. V. f.

96. La resistencia eléctrica de una muestra semiconductora aumenta con la temperatura. V. f.

97. La resistencia eléctrica de una muestra semiconductora no aumenta con la temperatura. V. f.

98. La separación ente niveles energéƟcos de la teoría de bandas no es comparable con la energía de intercambio entre fotones. V. f.

99. La superconducƟvidad de un material representa la movilidad infinita de los portadores a altas temperaturas. V. f.

100. La teoría de bandas no se basa en el modelo atómico de Bohr. V. f.

101. La presencia de impurezas aceptoras en un semiconductor hace que el sistema no se necesite una mayor energía para la creación de un hueco extra para la formación de un par electrón hueco. V. f.

102. Las corrientes de arrastres y difusión no pueden aparecer juntas en una muestra aislada. v. f.

103. Las impurezas de un semiconductor intrínseco crean niveles de energía en la banda de conducción próximos a la banda de valencia. V. f.

104. Las impurezas en un semiconductor extrínseco crean niveles de energía en la banda de conducción próximos a la banda de valencia. v. f.

105. Las impurezas en un semiconductor extrínseco crean niveles de energía en la banda de valencia próximos a la banda de conducción. F. v.

106. Las impurezas en los semiconductores extrínsecos crean niveles de energía en la banda de conducción próximos a la banda de valencia. V. f.

107. Las impurezas pentavalentes provocan que los electrones de la banda de valencia salten al nivel aceptor antes q a la banda de conducción dejando un hueco libre en la banda de valencia. V. f.

108. Las impurezas trivalentes generan un nivel donador más próximo a la banda de valencia que a la banda de conducción. V. f.

109. Las impurezas trivalentes provocan que los electrones de la banda de valencia salten al nivel aceptor antes que a la banda de conducción dejando un hueco libre en la banda de conducción. V. f.

110. Las impurezas trivalentes generan un nivel aceptor mas próximo a la banda de conducción que a la banda de valencia. F. v.

111. Las unidades de densidad de corriente son amperios dividido entre volumen. F. v.

112. Los aislantes no Ɵenen una anchura de banda prohibida inferior a 0.2eV. v. f.

113. Los huecos no son portadores posiƟvos en la banda de valencia. V. f.

114. Los materiales aislantes poseen una banda de valencia que se solapa con la banda de conducción solo a temperaturas bajas. V. f.

115. Los materiales dopados con impurezas pentavalentes capturan un electrón dejan un hueco libre. V. f.

116. Los materiales dopados con impurezas trivalentes capturan un electrón y no dejan un hueco libre. V. f.

117. Los materiales conductores poseen una banda de cinducción que se solapa con la banda de valencia, solo a temperaturas altas. v. F.

118. Los materiales pentavalentes en un semiconductor generan una ionización posiƟva al no liberar electrones. V. f.

119. Los metales no Ɵenen la anchura de banda prohibida superior a 0.2 eV. V. f.

120. Los metales Ɵenen una anchura de banda prohibida del orden de 0.2 eV. v. F.

121. Los semiconductores Ɵenen la anchura de banda prohibida mayor a 1.2 eV. V. f.

122. Los semiconductores son impurezas donadoras y aceptadoras se denominan intrínsecos. V. f.

123. Los semiconductores compensados no son semiconductores intrínsecos a los que les añaden impurezas donadores y aceptadoras a la vez. V. f.

124. Los semiconductores con impurezas pentavalentes generan una ionización negaƟva al perder electrones ligados a la red cristalina. V. f.

125. Los semiconductores con impurezas pentavalentes generan una ionización posiƟva al perder electrones ligados a la red cristalina. V. f.

126. Los semiconductores dopados con impurezas pentavalentes se denominan semiconductores intrínsecos donadores. V. f.

127. Los semiconductores dopados son semiconductores intrínsecos a los que se le añade impurezas donadoras y aceptoras a la vez. V. f.

128. Los semiconductores extrínsecos dopados con impurezas trivalentes a temperaturas altas se comportan como intrínsecos. V. f.

129. Los semiconductores extrínsecos con impurezas trivalentes (Ɵpo P) a temperaturas altas se comportan como semiconductores intrínsecos. V. f.

130. Los semiconductores extrínsecos dopados con impurezas pentavalentes a temperaturas altas no se comportan como semiconductores extrínsecos. V. f.

131. Los semiconductores intrínsecos no cumplen la ley de acción de masas. V. f.

132. Los semiconductores intrínsecos presentan una conducción eléctrica a 300 K. V. f.

133. Los semiconductores no alcanzan la banda de conducción con una determinada energía térmica. V. f.

134. Los semiconductores no conducen la corriente eléctrica al cero absoluto. V. f.

135. Los semiconductores no conducen la corriente eléctrica en la temperatura del cero absoluto. V. f.

136. Los semiconductores parcialmente compensados Ɵpo N Ɵene un nivel donador localizado en la banda prohibida y un nivel aceptor en la banda de valencia. V. f.

137. Los semiconductores parcialmente compensados de Ɵpo N Ɵenen mas portadores que pueden ir del nivel donador a la banda de conducción que de la banda de valencia al nivel aceptor. V. f.

138. Los semiconductores parcialmente compensados Ɵpo P Ɵenen un nivel donador localizado en la banda prohibida y un nivel aceptor localizados en la banda de valencia. V. f.

139. Los semiconductores Ɵenen la anchura de la banda prohibida mayor a un eV. V. f.

140. Los semiconductores no conducen la corriente eléctrica a cero absoluto. V. f.

141. Los semiconductores parcialmente compensados nunca pueden ser degenerados. V. f.

142. Los valores de movilidad suelen estar tabulados en función de la temperatura el Ɵpo de portador y el Ɵpo de semiconductor. V. f.

143. Nc no representa la densidad máxima de electrones permiƟdos en la banda de valencia. V. f.

144. Nc no representa la densidad máxima de huecos permiƟdos en la banda de valencia. V. f.

145. Probabilidad de ocupación de un nivel en función de una energía se representa por la distribución de Dirac. V. f.

146. Un hueco solo Ɵene carga neutra a temperatura ambiente. V. f.

147. Un portador es una parơcula no ligada que transporta una carga eléctrica y que no puede moverse libremente. V. f.

148. Un portador es toda carga eléctrica. V. f.

149. Un semiconductor intrínseco puede ser degenerado. V. f.

150. Un semiconductor degenerado es elaborado con materiales de escasa pureza. V. f.

151. A mayor masa efecƟva de un portador su movilidad es menor. V. f.

157. Una muestra aislada con Na no homogénea produce una diferencia de potencial. V. f.

152. Un semiconductor degenerado no se elabora con materiales de escasa pureza. F. v.

153. Un semiconductor degenerado se elabora con materiales de escasa pureza. V. f.

154. Un semiconductor en el cero absoluto (273 K) no e comporta como un aislante los electrones Ɵenen la energía suficiente para alcanzar la banda de conducción. V. f.

155. Un semiconductor extrínseco compensado no Ɵene un comportamiento que difiere al de un semiconductor intrínseco. V. f.

156. Un semiconductor intrinseco no se presenta en estado puro. V. f.