materiales

Se dispone de una muestra de Si puro con forma de disco cilíndrico de 1cm de radio y 0.1 cm de grosor. Sabiendo que, a cierta temperatura, σ=4.4*10-4, la resistencia eléctrica en dirección axial valdrá: 7.23 kΩ. 6.75 Ω. 15.67 mΩ.

El nivel de fermi es: El nivel más alto de energía ocupado a la temperatura 0k. El nivel más alto de energía permitido. El promedio de los niveles de energía permitidos. Ninguna de las anteriores.

La Banda de valencia es la banda más extrema que contiene electrones incluso a 0k, mientras que la banda de conductores es la banda de menor energía en la que a 0k existen vacios;. Verdadero. Falso.

Cuando un campo eléctrico actúa sobre un metal los electrones se ven arrastrados: En la dirección y sentido del campo. En la dirección del campo, pero en sentido opuesto. En dirección perpendicular a la del campo.

De acuerdo con el modelo de Drude, la conductividad eléctrica se calcula como: n*e^(2)t/me. n*et/me. n^(2)*et/me.

La movilidad del electrón es directamente proporcional a la masa del electrón e inversamente proporcional al tiempo medio entre colisiones. Verdadero. Falso.

La velocidad de un electrón situado exactamente en el nivel de Fermi de un metal con EF=3.0 eV resulta ser. 2.13*1010 m*s-1. 1.03*106 m*s-1. 1.03*104 m*s-1. 2.13*106 m*s-1.

Respecto a la influencia de distintos parámetros sobre la conducción en los conductores, la resistividad viene dada por ρ=ρi+ρD+ρv donde: ρi es la contribución debida a las impurezas y depende de la concentración de impurezas y en menor medida, de la tempertura. ρD es la resistividad del material debida a la difusión. ρi es la contribución debida a las impurezas y depende únicamente de la concentración de impurezas.

A temperaturas no muy bajas, una de las siguientes afirmaciones referidas a la resistividad de un metal es falsa: Al aumentar la temperatura, la resistividad aumenta de manera lineal. Al aumentar la temperatura, la resistividad aumenta de manera exponencial. La acumulación de dislocaciones incrementa la resistividad.

La resistividad de un metal aumenta linealmente con la temperatura porque: La velocidad del electrón es directamente proporcional a la temperatura. La densidad del gas de electrones varía linealmente con la temperatura. El recorrido libre medio es inversamente proporcional a la temperatura.

El parámetro denominado razón de resistividad residual, que permite conocer el grado de pureza de un metal, viene dado por (ρv+ρi)/ρD. Verdadero. Falso.

A medida que la temperatura se aproxima al cero absoluto, la resistividad de todos los metales tiende a: Cero. Un valor finito. Un valor infinito.

La conductividad de una solución sólida de dos componente A y B puede calcularse mediante: ρ=(1-x) ρA+x*ρB+N x(1-x). ρ=xρA+(x-1)*ρB+N x(1-x). ρ=ρrA+(x-1)*ρB-N x(1-x). Ninguna de las opciones anteriores es correcta.

Una solución sólida de dos metales tiene una resistividad que es: Mayor que la resistividad menor de sus dos componentes puros. Menor que la de cualquiera de la de sus dos componentes puros. Igual a la del componente puro con resistividad más alta.

En relación a la conductividad eléctrica de aleaciones Cu-Zn: El Cu puro, a una temperatura de 0ºC, tiene una resistividad nula. La contribución debida a la temperatura en la resistividad de una aleación de 85Cu-15Zn es mayor que la del Cu puro. La contribución debida a la temperatura de la resistividad de una aleación de 85Cu-15Zn a 0ºC es nula.

Bajo la presencia de un campo eléctrico, los huecos en un semiconductor adquieren una velocidad de arrastre;. En la misma dirección y sentido del campo. En la misma dirección, pero sentido contrario al del campo. En dirección perpendicular a la del campo aplicado.

Si en un semiconductor puro, se generan n electrones de conducción por unidad de volumen, la conductividad eléctrica será proporcional a 2n: Verdadero. Falso.

La conductividad en un semiconductor viene dada por la ecuación σ=en*μE+epμH: μE<μH. μE=μH. μE>μH.

La mayor conductividad de los semiconductores frente a los aislantes se debe: A la existencia de intervalo prohibido en los aislantes. A la existencia de solapamiento de bandas en los semiconductores. Al valor más pequeño del intervalo prohibido en los semiconductores. A la existencia de una banda de conducción más ancha en los semiconductores que en aislantes.

Para un semiconductor intrínseco, a temperatura ambiente, la concentración de huecos es de 5*10^16. Si, tras un proceso de dopado y a la misma temperatura, la concentración de huecos disminuye a 1*10^8 m^3, la concentración de electrones deberá valer: 2.5*10^25. 5*10^8. 1*10^8.

En relación a las corrientes debidas a electrones y a huecos, la corriente total a través de un semiconductor viene dada por: La suma de ambas. La diferencia entre ambas. El producto de ambas.

Cuando se dopa un trozo de silicio con impurezas de arsénico, el semiconductor es extrínseco tipo n: Verdadero. Falso.

Cuando se dopa un trozo de silicio con impurezas de aluminio, el semiconductor resultante es extrínseco del tipo p: Verdadero. Falso.

En un semiconductor extrínseco de tipo n, los portadores de carga son: Electrones. Electrones y huecos, aunque hay más electrones. Electrones y huecos, aunque hay más huecos.

La concentración intrínseca de portadores depende de la temperatura y es proporcional a: T^(3/2)*exp(-Eip/2kbT). T^(3/2)*exp(Eip/2kbT). T^(3/2)*exp(-2Eip/2kbT).

La concentración de portadores de carga en los semiconductores extrínsecos: Es baja en el rango de bajas temperaturas debido a la vibración térmica de la red cristalina. Es baja a altas temperaturas por disminuir la movilidad electrónica. Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores del mecanismo conductor.

Cada átomo donante en un semiconductor tipo n a temperatura ambiente: Está cargado positivamente. Está cargado negativamente. Es neutro, como todos los átomos.

Respecto a la resistividad eléctrica: En los metales aumenta y en los semiconductores intrínsecos, disminuye al aumentar la temperatura. En los metales disminuye y en los semiconductores extrínsecos aumenta al aumentar la temperatura. Tanto en metales como en semiconductores varía linealmente con la temperatura.

La dependencia térmica de la conductividad en un semiconductor intrínseco es exponencial, con una energía de activación de Eip/2. Verdadero. Falso.

La pendiente de un gráfico ln(σ-1)/T para un semiconductor intrínseco con intervalo prohibido Eip es: Eip/2Kb. -Eip/2Kb. Eip/Kb.

En un semiconductor extrínseco a temperaturas muy bajas todas las impurezas están ionizadas por lo que se llega a su región de agotamiento. Verdadero. Falso.

La movilidad de los portadores en un semiconductor extrínseco: Depende únicamente de la temperatura. Depende únicamente del nivel de dopado. Depende tanto del nivel de dopado como de la temperatura. Ninguna de las opciones anteriores es correcta.

La menor conductividad de los aislantes frente a los semiconductores se debe. A la existencia de solapamiento de bandas en los semiconductores. Al valor más pequeño del intervalo prohibido en los semiconductores. A la existencia de una banda de conducción más ancha en los semiconductores que en los aislantes.

Puede expresarse la conductividad de un material iónico σ=σe+σp donde σe=σo*exp(-Eip/2KbT) y σi=ni(zie)^(2)*Doi*exp(-Eip/KbT)/Kbt. Verdadero. Falso.

La permisividad eléctrica de un medio se expresa en: F*m. F*m^(-1). (F*m)^(-1). Es adimensional.

Si en un condensador de placas plano-paralelas, se duplica la distancia entre las placas, la capacidad del condensador se: Duplica. Cuadruplica. Reduce a la mitad. Ninguna de las anteriores es correcta.

La capacidad eléctrica de un condensador de placas plano-paralelas es inversamente proporcional a la tensión entre placas: Verdadero. Falso.

En general, la constante dieléctrica de un material: Polimérico es mayor que la de uno cerámico pero inferior al de un molecular. Molecular, es mayor que la de uno cerámico, pero inferior a la de un polimérico. Polimérico es mayor que la de materiales cerámicos. Cerámicos es mayor que la de materiales poliméricos y moleculares.

La polarización en un material dieléctrico: Se define como el momento dipolar neto por unidad de área. Se expresa en C/m^(2). Se expresa en C/m^(3).

La polarización en un material dieléctrico puede expresarse por P=εr(εo-1)E: Verdadero. Falso.

En un material dieléctrico molecular apolar, la polacización es debida a: Únicamente a la contribución electrónica. La contribución electrónica e iónica. La contribución electrónica, iónica y orientacional. Ninguna de las anteriores.

En relación a piro, piezo y ferroelectricidad: Todos los materiales piezoeléctricos son también piroeléctricos. Todos los materiales piroeléctricos son también piezoeléctricos. Todos los materiales piezoeléctricos son también ferroeléctricos.

El módulo piezoeléctrico es: Directamente proporcional al cuadrado del esfuerzo mecánico e inversamente proporcional a la polarización. Directamente proporcional al cuadrado de la polarización e inversamente proporcional al esfuerzo mecánico. Directamente proporcional a la polarización e inversamente proporcional al esfuerzo mecánico. Ninguna afirmación de las anteriores es correcta.

Los materiales ferroeléctrico son también piroeléctricos. Verdadero. Falso.

En relación con el ciclo de histéresis de un material ferroeléctrico. Cuando se anula el campo aplicado, la polarización no tiene que desaparecer completamente. La aplicación del campo correctivo permite alinear los dipolos y así eliminar la polarización remanente. En valor absoluto el campo asociado a la polarización d saturación es siempre inferior al asociado a la polarización remanente. Ninguna de las opciones es correcta.

A una temperatura menor que la de Curie, la constante dieléctrica de un material ferroeléctrico es: Dependiente del campo aplicado, pero no de la temperatura. Dependiente de la temperatura, pero no del campo aplicado. Dependiente de la temperatura y del campo aplicado. Independiente de la temperatura y del campo aplicado.

Suelen escogerse materiales poliméricos cuando desean fabricarse condensadores de elevada capacidad: Verdadero. Falso.