Semiconductores 1
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Título del Test: Semiconductores 1 Descripción: Electrónica básica Fecha de Creación: 2025/02/24 Categoría: Universidad Número Preguntas: 78
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A 0 Kelvin la probabilidad de que un electro este en la banda de valencia es max. Verdadero. Falso. A 700 grados K el SI con Nd=10^17 átomos/cm^3 se comporta como intrínseco. Verdadero. Falso. A mayor masa efectiva de un portador su movilidad es menor. Verdadero. Falso. A mayor temperatura existe una mayor vibración térmica de los portadores que construyen un semiconductor por lo que la probabilidad de choque disminuye. Verdadero. Falsa. A mayor temperatura existe una mayor vibración térmica de los portadores de un semiconductor por lo que la probabilidad de choques es mayor. Verdadero. Falso. A temperaturas medias la concentración de portadores en semiconductores extrínsecos es constante. Verdadera. Falsa. A temperaturas altas un semiconductor compensado con una concentración de impurezas aceptoras mayor que la concentración de impurezas donadoras no se comporta como un semiconductor intrínseco. Verdadera. Falsa. A temperaturas bajas no se puede aplicar la hipótesis de ionización total de un semiconductor extrínseco y no se conoce la concentración intrínseca. Verdadera. Falsa. A temperaturas medias la concentración de mayoritarios = concentración de impurezas. Verdadera. Falsa. A temperaturas bajas no se puede aplicar la hipótesis de la ionización total de un semiconductor extrínseco, pero si se conoce la concentración intrínseca a bajas temperaturas. Verdadera. Falsa. A una temperatura de 700 K una muestra de SI dopado con impurezas donadoras con una Nd de 10^17 átomos/cm^3 se comporta como semiconductor intrínseco. Verdadera. Falsa. Ea – Ev < Eg/2. Verdadera. Falsa. El cociente entre la constante de difusión y la movilidad es lineal con la temperatura. Verdadera. Falsa. El estaño es semiconductor. Verdadera. Falsa. El germanio es un semiconductor. Verdadero. Falso. El grafito es un semiconductor. Verdadero. Falso. El nivel de fermi en un aislante no esta dentro de la banda de conducción. Verdadero. Falso. El nivel de fermi en un metal esta fuera de la banda de conducción. Verdadero. Falso. El proceso de ionización de impurezas de un semiconductor extrínseco permite establecer la generación de pares de electrón hueco con menores niveles de energía. Verdadero. Falso. El proceso de ionización de impurezas de un semiconductor intrínseco permite establecer la generación de pares de electro hueco con menores energía. Verdadero. Falso. El silicio es semiconductor. Verdadero. Falso. El tiempo de relajación o tiempo existente entre el choque de los portadores es directamente proporcional a la masa efectiva de estos portadores. Verdadero. Falso. El tiempo de relajación existente entre el choque de los portadores es directamente proporcional a la masa efectiva de estos portadores. Verdadero. Falso. En 0 grados K existen electrones en la banda de conducción. Verdadero. Falso. En el proceso de ionización las impurezas pentavalentes de un semiconductor donador no capturan un electrón. Verdadero. Falso. En el proceso de ionización las impurezas pentavalentes de un semiconductor donador no pierden el electrón sobrante. Verdadero. Falso. En el proceso de ionización las impurezas pentavalentes de un semiconductor donador capturan el electrón que falta. Verdadero. Falso. En los semiconductores extrínsecos la concentración de electrones es igual que la de huecos. Verdadero. Falso. En los semiconductores con impurezas aceptroras existe una mayor concentración de huecos que de electrones. Verdadero. Falso. En los semiconductores con impurezas donadoras la concentración de electrones es menor que la concentración de huecos. Verdadero. Falso. En los semiconductores con impurezas donadoras la concentración de huecos no es mayor que la concentración de electrones. Verdadero. Falso. En los semiconductores con impurezas donadoras se crea un nivel energéco en la banda prohibida mas lejos en banda de valencia que en la banda de conducción. Verdadero. Falso. En los semiconductores con impurezas donadoras se crea un nivel energéco en la banda prohibida mas lejos de la banda de conducción que la banda de valencia. Verdadero. Falso. En los semiconductores con impurezas trivalentes no existe mayor concentración de electrones que de huecos. Verdadero. Falso. En los semiconductores con impurezas trivalentes Ea-Ev<Eg. Verdadero. Falso. En los semiconductores extrínsecos a altas temperaturas la concentración de impurezas no es superior a la concentración intrínseca. Verdadero. Falso. En los semiconductores con impurezas trivalentes no existe una mayor concentración de electrones que de huecos. Verdadero. Falso. En los semiconductores intrínsecos a muy bajas temperaturas la concentración de portadores positivos es diferente a la de los portadores negavos. Verdadero. Falso. En los semiconductores intrínsecos a muy bajas temperaturas la concentración de portadores posivos no difiere en la concentración de portadores negavos. Verdadero. Falso. En un aislante el nivel de fermi no esta en la mitad de la banda prohibida. Verdadero. Falso. En un átomo existen un número continuo de orbitales según su energía. Verdadero. Falso. En un átomo existen un numero de orbitales que no dependen de su numero atómico. Verdadero. Falso. En un átomo existen un numero de orbitales que no depende de su número másico. Verdadero. Falso. En un semi extrínseco la concentración de electrones y huecos es la misma. Verdadero. Falso. En un semiconductor compensado po P, la concentración de impurezas donadoras no es mayor que la concentración de impurezas aceptoras. Verdadero. Falso. En un semiconductor degenerado el nivel de fermi invade la banda de valencia o la de conducción. Verdadero. Falso. En un semiconductor dopado con impurezas aceptoras a temperaturas medias la concentración de las impurezas ionizadas no es igual a la concentración total de impurezas donadoras. Verdadero. Falso. En un semiconductor dopado con impurezas trivalentes a temperaturas medias la concentración de impurezas ionizadas difiere en varios ordenes de magnitud de la concentración de impurezas aceptoras total. Verdadero. Falso. En un semiconductor dopado con impurezas donadoras a temperaturas medias la concentración de impurezas ionizadas es aproximadamente igual a la concentración total de impurezas donadoras. Verdadero. Falso. En un semiconductor dopado con impurezas trivalentes a temperaturas medias la concentración de impurezas ionizadas es aproximadamente la misma en ordenes de magnitud que la concentración de impurezas aceptoras. Verdadero. Falso. En un semiconductor extrínseco el nivel de Fermi esta en la mitad de la banda prohibida. Verdadero. Falso. En un semiconductor extrínseco existen átomos de la misma naturaleza, pero con otra valencia que los átomos que construyen la red principal. Verdadero. Falso. En un semiconductor extrínseco po N, tras la ionización total la concentración de portadores mayoritarios no es igual a la concentración de impurezas donadoras ionizadas negativamente. Verdadero. Falso. En un semiconductor intrínseco la concentración de electrones y de huecos no es la misma. Verdadero. Falso. En un semiconductor intrínseco existen átomos de la misma naturaleza, pero con otra valencia que los átomos que contribuyen la red principal. Verdadero. Falso. En un semiconductor la concentración de electrones en la banda de conducción no aumenta con la temperatura. Verdadero. Falso. En un semiconductor intrínseco el nivel de fermi no esta en la mitad de la banda prohibida. Verdadero. Falso. En un semiconductor po N no se cumple NA>ND. Verdadera. Falsa. En un semiconductor po P la concentración de portadores minoritarios de portadores minoritarios representa a la concentración de electrones del sistema. Verdadera. Falsa. Es correcta la expresión j=q*(dn/dx) *D. Verdadera. Falsa. Es correcta la expresión j=q*(dn/dx) *D. Verdadera. Falsa. Es correcta la expresión j=E(ue*n+uh*p). Verdadera. Falsa. K/T a 300 grados K=0.026V. Verdadera. Falsa. KT/q es la energía térmica a 300 grados K no ene un valor de 0.026V. Verdadera. Falsa. La anchura de banda prohibida en un material conductor no depende de la temperatura a la que se encuentra el material. Verdadera. Falsa. La anchura de banda prohibida en un semiconductor no representa la energía necesaria para que un electrón alcance la banda de valencia. Verdadera. Falsa. La banda de conducción esta formada por electrones libres que no son los responsables de la corriente eléctrica. Verdadera. Falsa. La banda de valencia no es la energía máxima necesaria para arrancar un electrón de un sólido y sacarlo fuera de la superficie. Verdadera. Falsa. La banda de valencia esta formada por electrones libres que son los responsables de los enlaces entre átomos. Verdadera. Falsa. La banda de valencia no esta formada por electrones que forman los enlaces entre átomos y que no intervienen en la conducción eléctrica. Verdadera. Falsa. La concentración de portadores en la banda de conducción depende de la densidad de estado en la banda de conducción y su probabilidad de ocupación. Verdadera. Falsa. La concentración atómica en los elementos sólidos es del orden de 10^18 átomos/cm3. Verdadera. Falsa. La concentración de electrones en un semiconductor intrínseco depende de la concentración de huecos en la banda de conducción. Verdadera. Falsa. La concentración de electrones en un semiconductor intrínseco depende de la concentración de huecos en la banda de valencia. Verdadera. Falsa. La concentración de electrones en un semiconductor intrínseco depende de la concentración de huecos en la banda de conducción. Verdadera. Falsa. La concentración de huecos en un semiconductor no depende de la concentración de electrones en la banda de valencia. Verdadera. Falsa. La concentración de portadores en la banda de conducción depende de la densidad de estados en la banda de conducción y su probabilidad de no ocupación. Verdadera. Falsa. La corriente de difusión es proporcional al gradiente de la concentración de portadores. Verdadera. Falsa. |