SEMICONDUCTORES 2
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Título del Test: SEMICONDUCTORES 2 Descripción: ELECTRONICA BASICA Fecha de Creación: 2025/02/24 Categoría: Otros Número Preguntas: 79
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Una muestra aislada con Na no homogénea produce una diferencia de potencial. VERDADERO. FALSO. Un semiconductor intrinseco no se presenta en estado puro. VERDADERO. FALSO. Un semiconductor extrínseco compensado no Ɵene un comportamiento que difiere al de un semiconductor intrínseco. VERDADERO. FALSO. Un semiconductor en el cero absoluto (273 K) no e comporta como un aislante los electrones Ɵenen la energía suficiente para alcanzar la banda de conducción. VERDADERO. FALSO. Un semiconductor degenerado se elabora con materiales de escasa pureza. VERDADERO. FALSO. Un semiconductor degenerado no se elabora con materiales de escasa pureza. VERDADERO. FALSO. A mayor masa efecƟva de un portador su movilidad es menor. VERDADERO. FALSO. Un semiconductor degenerado es elaborado con materiales de escasa pureza. VERDAERO. FALSO. Un semiconductor intrínseco puede ser degenerado. VERDADERO. FALSO. Un portador es toda carga eléctrica. VERDADERO. FALSO. Un portador es una parơcula no ligada que transporta una carga eléctrica y que no puede moverse libremente. VERDADERO. FALSO. Un hueco solo tiene carga neutra a temperatura ambiente. VERDADERO. FALSO. Probabilidad de ocupación de un nivel en función de una energía se representa por la distribución de Dirac. VERDADERO. FALSO. Nc no representa la densidad máxima de huecos permiƟdos en la banda de valencia. VERDADERO. FALSO. Nc no representa la densidad máxima de electrones permiƟdos en la banda de valencia. VERDADERO. FALSO. Los valores de movilidad suelen estar tabulados en función de la temperatura el tipo de portador y el tipo de semiconductor. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores parcialmente compensados nunca pueden ser degenerados. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores no conducen la corriente eléctrica a cero absoluto. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores Ɵenen la anchura de la banda prohibida mayor a un eV. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores parcialmente compensados Ɵpo P Ɵenen un nivel donador localizado en la banda prohibida y un nivel aceptor localizados en la banda de valencia. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores parcialmente compensados de Ɵpo N Ɵenen mas portadores que pueden ir del nivel donador a la banda de conducción que de la banda de valencia al nivel aceptor. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores parcialmente compensados Ɵpo N Ɵene un nivel donador localizado en la banda prohibida y un nivel aceptor en la banda de valencia. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores no conducen la corriente eléctrica en la temperatura del cero absoluto. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores no conducen la corriente eléctrica al cero absoluto. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores no alcanzan la banda de conducción con una determinada energía térmica. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores intrínsecos presentan una conducción eléctrica a 300 K. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores intrínsecos no cumplen la ley de acción de masas. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores extrínsecos dopados con impurezas pentavalentes a temperaturas altas no se comportan como semiconductores extrínsecos. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores extrínsecos con impurezas trivalentes (tipo P) a temperaturas altas se comportan como semiconductores intrínsecos. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores extrínsecos dopados con impurezas trivalentes a temperaturas altas se comportan como intrínsecos. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores dopados son semiconductores intrínsecos a los que se le añade impurezas donadoras y aceptoras a la vez. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores dopados con impurezas pentavalentes se denominan semiconductores intrínsecos donadores. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores con impurezas pentavalentes generan una ionización positiva al perder electrones ligados a la red cristalina. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores con impurezas pentavalentes generan una ionización negativa al perder electrones ligados a la red cristalina. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores compensados no son semiconductores intrínsecos a los que les añaden impurezas donadores y aceptadoras a la vez. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores son impurezas donadoras y aceptadoras se denominan intrínsecos. VERDADERO. FALSO. Los semiconductores tienen la anchura de banda prohibida mayor a 1.2 eV. VERDADERO. FALSO. Los metales tienen una anchura de banda prohibida del orden de 0.2 eV. VERDADERO. FALSO. Los metales no tienen la anchura de banda prohibida superior a 0.2 eV. VERDADERO. FALSO. Los materiales pentavalentes en un semiconductor generan una ionización positiva al no liberar electrones. VERDADERO. FALSO. Los materiales conductores poseen una banda de cinducción que se solapa con la banda de valencia, solo a temperaturas altas. VERDADERO. FALSO. Los materiales dopados con impurezas trivalentes capturan un electrón y no dejan un hueco libre. VERDADERO. FALSO. Los materiales dopados con impurezas pentavalentes capturan un electrón dejan un hueco libre. VERDADERO. FALSO. Los materiales aislantes poseen una banda de valencia que se solapa con la banda de conducción solo a temperaturas bajas. VERDADERO. FALSO. Los huecos no son portadores posiƟvos en la banda de valencia. VERDADERO. FALSO. Los aislantes no tienen una anchura de banda prohibida inferior a 0.2eV. VERDADERO. FALSO. Las unidades de densidad de corriente son amperios dividido entre volumen. VERDADERO. FALSO. Las impurezas trivalentes generan un nivel aceptor mas próximo a la banda de conducción que a la banda de valencia. VERDADERO. FALSO. Las impurezas trivalentes provocan que los electrones de la banda de valencia salten al nivel aceptor antes que a la banda de conducción dejando un hueco libre en la banda de conducción. VERDADERO. FALSO. Las impurezas trivalentes generan un nivel donador más próximo a la banda de valencia que a la banda de conducción. VERDADERO. FALSO. Las impurezas pentavalentes provocan que los electrones de la banda de valencia salten al nivel aceptor antes q a la banda de conducción dejando un hueco libre en la banda de valencia. VERDADERO. FALSO. Las impurezas en los semiconductores extrínsecos crean niveles de energía en la banda de conducción próximos a la banda de valencia. VERDADERO. FALSO. Las impurezas en un semiconductor extrínseco crean niveles de energía en la banda de valencia próximos a la banda de conducción. VERDADERO. FALSO. Las impurezas en un semiconductor extrínseco crean niveles de energía en la banda de conducción próximos a la banda de valencia. VERDADERO. FALSO. Las impurezas de un semiconductor intrínseco crean niveles de energía en la banda de conducción próximos a la banda de valencia. VERDADERO. FALSO. Las corrientes de arrastres y difusión no pueden aparecer juntas en una muestra aislada. VERDADERO. FALSO. La presencia de impurezas aceptoras en un semiconductor hace que el sistema no se necesite una mayor energía para la creación de un hueco extra para la formación de un par electrón hueco. VERDADERO. FALSO. La teoría de bandas no se basa en el modelo atómico de Bohr. VERDADERO. FALSO. La superconductividad de un material representa la movilidad infinita de los portadores a altas temperaturas. VERDADERO. FALSO. La separación ente niveles energéticos de la teoría de bandas no es comparable con la energía de intercambio entre fotones. VERDADERO. FALSO. La resistencia eléctrica de una muestra semiconductora no aumenta con la temperatura. VERDADERO. FALSO. La resistencia eléctrica de una muestra semiconductora aumenta con la temperatura. VERDADERO. FALSO. La resistencia eléctrica de una muestra semiconductora aumenta con la temperatura. VERDADERO. FALSO. La probabilidad de que un electrón no este en la banda de conducción a 0 grados K es 1. VERDADERO. FALSO. La presencia de impurezas aceptoras en un semiconductor hace que se necesite una mayor energía para la creación de un hueco extra para que la formación de un par electrón hueco. VERDADERO. FALSO. La presencia de impurezas aceptoras en un semiconductor hace que en el sistema se necesite una mayor energía para la creación de un hueco extra para a formación de un par electrón hueco. VERDADERO. FALSO. La movilidad de una parơcula cargada es inversamente proporcional al campo eléctrico al que este someƟdo dicho portador. VERDADERO. FALSO. La movilidad de los portadores disminuye con la temperatura. VERDADERO. FALSO. La movilidad de un portador es inversamente proporcional al Ɵempo entre los choques de los portadores y se denomina Ɵempo de relajación. VERDADERO. FALSO. La masa efectiva de un portador en cristal no depende del Ɵpo de cristal. VERDADERO. FALSO. La ley de acción de masas enuncia: n+p=n^2. VERDADERO. FALSO. La ley de acción de masas enuncia: n+p=n^2. VERDADERO. FALSO. La ionización de impurezas no empieza a temperaturas bajas. VERDADERO. FALSO. La ionización de impurezas no depende de la temperatura del sistema, pero si depende de la función de probabilidad de ocupación de dicho nivel. VERDADERO. FALSO. La ionización de impurezas depende de la temperatura del sistema, pero no depende de la función de probabilidad de ocupación de dicho nivel. VERDADERO. FALSO. La estructura ơpica de un aislante es una estructura tetraédrica cada átomo se encuentra unido a otros catetos mediante enlaces covalentes. VERDADERO. FALSO. La estructura de un semiconductor se caracteriza por la presencia de enlaces iónicos. VERDADERO. FALSO. La distribución de Maxwell Boltzmann es una aproximación de la de fermi Dirac. VERDADERO. FALSO. La corriente de difusión en una muestra aislada saca el semiconductor de equilibrio. VERDADERO. FALSO. |